【為什么要在真空中鍍膜】：1.鍍的過(guò)程中不會(huì)受空氣分子碰撞,有較大的動(dòng)量到達(dá)待鍍件表面2.防止氣體“污染”.如：鍍金屬膜時(shí)可以防止氧化3.成膜過(guò)程不受氣體影響,致密牢固4.真空（負(fù)壓）狀態(tài)下,鍍膜材料的熔點(diǎn)教常壓下低,易于融化蒸發(fā)（對(duì)于蒸發(fā)類型的鍍膜）真空鍍膜技術(shù)是一種新穎的材料合成與加工的新技術(shù)，是表面工程技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。真空鍍膜技術(shù)是利用物理、化學(xué)手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜，從而使固體表面具有耐磨損、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化、防輻射、導(dǎo)電、導(dǎo)磁、絕緣和裝飾等許多優(yōu)于固體材料本身的優(yōu)越性能，達(dá)到提高產(chǎn)品質(zhì)量、延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命、節(jié)約能源和獲得明顯技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益的作用。因此真空鍍膜技術(shù)被譽(yù)為Zui具發(fā)展前途的重要技術(shù)之一，并已在高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展中展現(xiàn)出誘人的市場(chǎng)前景。國(guó)產(chǎn)真空鍍膜設(shè)備廠商推薦。上海真空鍍膜設(shè)備怎么跑業(yè)務(wù)

【真空鍍膜設(shè)備使用步驟】1電控柜的操作1)開水泵、氣源2)開總電源3)開維持泵、真空計(jì)電源，真空計(jì)檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。4)開機(jī)械泵、予抽，開渦輪分子泵電源、啟動(dòng)，真空計(jì)開關(guān)換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。5)觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后，關(guān)予抽，開前機(jī)和高閥繼續(xù)抽真空，抽真空到達(dá)一定程度后才能開右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能開電子槍電源。2DEF-6B電子槍電源柜的操作1)打開總電源2)同時(shí)開電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源：按電子槍控制Ⅰ電源、延時(shí)開關(guān)，延時(shí)、電源及保護(hù)燈亮，三分鐘后延時(shí)及保護(hù)燈滅，若后門未關(guān)好或水流繼電器有故障，保護(hù)燈會(huì)常亮。3)開高壓，高壓會(huì)達(dá)到10KV以上，調(diào)節(jié)束流可到200mA左右，簾柵為20V/100mA，燈絲電流1.2A，偏轉(zhuǎn)電流在1~1.7之間擺動(dòng)。3關(guān)機(jī)順序1)關(guān)高真空表頭、關(guān)分子泵。2)待分子泵顯示到50時(shí)，依次關(guān)高閥、前級(jí)、機(jī)械泵，這期間約需40分鐘。3)到50以下時(shí)，再關(guān)維持泵。天津真空鍍膜設(shè)備定制真空鍍膜設(shè)備日常怎么維護(hù)？

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜內(nèi)白霧】： 白霧形成在膜內(nèi)，無(wú)法用擦拭方法去除。 可能成因： 1. 基片臟 2. 鏡片表面腐蝕污染 3. 膜料與膜料之間、膜料與基片之間的匹配 4. 氧化物充氧不夠 5. 第yi層氧化鋯膜料，可能對(duì)某些基片產(chǎn)生白暈現(xiàn)象 6. 基片進(jìn)罩前（洗凈后）受潮氣污染 7. 洗凈或擦拭不良，洗凈痕跡，擦拭痕跡 8. 真空室臟、水汽過(guò)重 9. 環(huán)境濕度大 改善對(duì)策：基片本身的問(wèn)題可能時(shí)主要的鍍膜室盡量彌補(bǔ)，鍍膜本身Zui大的可能室膜料匹配問(wèn)題。 1. 改進(jìn)膜系，第yi層不用氧化鋯 2. 盡量減少真空室開門時(shí)間 3. 真空室在更換護(hù)板、清潔后，Zui好能空罩抽真空烘烤一下，更換的護(hù)板等真空室部件必須干燥、干凈 4. 改善環(huán)境 5. 妥善保護(hù)進(jìn)罩前在傘片上的鏡片，免受污染 6. 改善洗凈、擦拭效果 7. 改善膜匹配（考慮第yi層用Al2O3） 8. 改善膜充氧和蒸發(fā)速率（降低） 9. 加快前工程的流程。前工程對(duì)已加工光面的保護(hù)加強(qiáng)。 10. 拋光加工完成的光面，必須立即清潔干凈，不能有拋光粉或其他雜質(zhì)附著干結(jié)。

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜外自霧】：現(xiàn)象：鍍膜完成后，表面有一些淡淡的白霧，用丙tong或混合液擦拭，會(huì)有越擦越嚴(yán)重的現(xiàn)象。用氧化鈰粉擦拭，可以擦掉或減輕?？赡艹梢蛴校?.膜結(jié)構(gòu)問(wèn)題，外層膜的柱狀結(jié)構(gòu)松散，外層膜太粗糙2.蒸發(fā)角過(guò)大，膜結(jié)構(gòu)粗糙3.溫差：鏡片出罩時(shí)內(nèi)外溫差過(guò)大4.潮氣：鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣5.真空室內(nèi)POLYCOLD解凍時(shí)水汽過(guò)重6.蒸鍍中充氧不完全，膜結(jié)構(gòu)不均勻。7.膜與膜之間的應(yīng)力改善思路：膜外白霧成因很多但各有特征，盡量對(duì)癥下藥。主要思路，一是把膜做的致密光滑些不容易吸附，二是改善環(huán)境減少吸附的對(duì)象。改善對(duì)策：1.改善膜系，外層加二氧化硅，使膜表面光滑，不易吸附。2.降低出罩時(shí)的鏡片溫度3.改善充氧（加大），改善膜結(jié)構(gòu)4.適當(dāng)降低蒸發(fā)速率，改善柱狀結(jié)構(gòu)5.離子輔助鍍膜，改善膜結(jié)構(gòu)6.加上Polycold解凍時(shí)的小充氣閥7.從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角8.改善基片表面粗糙度9.注意Polycold解凍時(shí)的真空度。真空鍍膜設(shè)備升級(jí)改造。

真空鍍膜機(jī)主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空電阻加熱蒸發(fā)，電子槍加熱蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積，離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)。并且沉降在基片表面，通過(guò)成膜過(guò)程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng)）形成薄膜。 對(duì)于濺射類鍍膜，可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來(lái)，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過(guò)程，終形成薄膜。真空鍍膜設(shè)備怎么維修。福建真空鍍膜設(shè)備工藝

真空鍍膜機(jī)使用時(shí)，需要注意哪些問(wèn)題?上海真空鍍膜設(shè)備怎么跑業(yè)務(wù)

【真空鍍膜設(shè)備的分類】： 這個(gè)問(wèn)題如果在十年之前，其實(shí)是很容易回答的，就是兩個(gè)大類，物理沉積設(shè)備和化學(xué)沉積設(shè)備?，F(xiàn)在這樣回答也是沒(méi)錯(cuò)的，但現(xiàn)在再這樣回答就沒(méi)辦法把事情說(shuō)清楚了，所以從應(yīng)用領(lǐng)域上可以分成以下幾類： 傳統(tǒng)光學(xué)器件（鏡片，濾光片）所用的鍍膜設(shè)備：?jiǎn)吻惑w或多腔體蒸發(fā)式鍍膜設(shè)備，濺射式鍍膜設(shè)備。 新材料領(lǐng)域的柔性設(shè)備：卷對(duì)卷柔性鍍膜設(shè)備。 光通訊行業(yè)：離子束濺射鍍膜設(shè)備。 半導(dǎo)體及相似工藝：化學(xué)氣相沉積設(shè)備。 功能膜：多弧離子鍍?cè)O(shè)備，濺射設(shè)備，蒸發(fā)設(shè)備 玻璃工藝：濺射式連續(xù)線 其余的就得歸到“工藝定制設(shè)備”這個(gè)范圍里面了，例如車燈鍍膜設(shè)備，太陽(yáng)能的共蒸發(fā)設(shè)備，光纖鍍膜設(shè)備，太陽(yáng)能管設(shè)備等等上海真空鍍膜設(shè)備怎么跑業(yè)務(wù)

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